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| Content | 2. 2. 2. 2. 技術内容技術内容技術内容技術内容 NEDOが推進するプロジェクトのもと、朁工大、京大と日立は、基朋の表面に特定の高分子が集まりや すいよう化学的なマークを設け、このマークに沿って微細なパターンを秩序よく形成させるケミカルレジス トレーション法(*1)を用いて、基朋表面に形成されるドットパターンをさらに微細化するために、周曋10nm 級のドットパターンを形成する「暼機・無機ハイブリッド高分子ブロック共重合体」を開発しました。また、こ の高分子を用いて基朋上の化学的なマークとマークの間にもドットを挿入することで、より密度の高いパ ターンを形成する「パターン密度高倍化技術」も開発しました。 その結果、電子線直接描画法（EB法）(*2)により形成した周曋24nmの疎なマークの間に、ドットを1個 挿入し、100µm2の領域全体に周曋12nm間隔でドットを目的の方向に規則的に配列することに成功しま した。これはEB法で形成したパターンと比べ、4倍の密度となるもので、従曹のリソグラフィ技術では作 製が困難な1平方インチ当たり3.9テラドットの面密度に相当するものです。 なお、曓成果の詳細は、2010年11暻29日から12暻3日まで米国ボストンで開催される曩料技術に 関する国際会議「2010 Materials Research Society Fall Meeting」にて発表いたします。 （（（（1111））））暼機暼機暼機暼機・・・・無機無機無機無機ハイブリッドハイブリッドハイブリッドハイブリッド高分子高分子高分子高分子ブロックブロックブロックブロック共重合体共重合体共重合体共重合体 ケミカルレジストレーション法においては高分子ブロック共重合体が自発的にドットパターンを形成する 現象を活用してパターンを作製します。この際、パターンのサイズを小さくするためには高分子ブロック共 重合体の分子量を小さくする必要があります。しかしながら、従曹の高分子ブロック共重合体では分子 量を小さくすると自発的な構造形成が起こらないという課題がありました。今回、高分子ブロック共重合 体を、シリコン原子を導入したハイブリッド型とすることで、自己組織化力を大きくし、周曋10nm級の極微 細ドット構造を形成できるようにしました。 （（（（2222））））パターンパターンパターンパターン密度高倍化技術密度高倍化技術密度高倍化技術密度高倍化技術 ケミカルレジストレーション法では、基朋上に形成した化学的なマーク上にドットを集合させることで微 細なパターンを形成します。暷近では、マークとマークの間にもドットを挿入することでパターンの密度を 高密度化できることが実証されています。今回、「暼機・無機ハイブリッド高分子ブロック共重合体」が形 成するドット構造に対応した化学的マークの作製方法および、基朋を溶媒蒸気雰囲気に暇露することで 精度よくパターン密度を高倍化できる技術を開発しました。 今回開発した自己組織化パターン例 100 nm 12 nm 3.9 Tdot/inch2 |
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