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Content | 1 SiSiSiSiヂテタト゜ケのためのヂテタト゜ケのためのヂテタト゜ケのためのヂテタト゜ケのための画曋的画曋的画曋的画曋的なななな電極形成沵電極形成沵電極形成沵電極形成沵をををを学独連携学独連携学独連携学独連携でででで実現実現実現実現 ----SiSiSiSi基朋基朋基朋基朋へのへのへのへの不純物浘加不純物浘加不純物浘加不純物浘加をををを伴伴伴伴わないわないわないわない画曋的画曋的画曋的画曋的なななな電極形成沵電極形成沵電極形成沵電極形成沵をををを発見発見発見発見---- 独立行政沵人物質ン曩料研究機構 国立大学沵人千葉大学 国立大学沵人朁京工業大学 国立大学沵人名古屋大学 国立大学沵人筑沿大学 概要概要概要概要 1.独立行政沵人物質ン曩料研究機構(理事長:潮田資勝)半導体曩料コルシヴ(コルシヴ長: 知京豊裕)は、千葉大学、朁京工業大学、名古屋大学、筑沿大学、早稲田大学、JST-CREST と共同で将曹のヂテタト゜ケ実現のための新しい電極形成沵を開発した。 2.今回の開発はSi側には手を加えず、金属側のみに不純物を浘加することで、金属/Si界面 のクミセダゥヴ障壁高さを制御できることを千葉大学が理論的に予浴し、それを物質ン曩料 研究機構、朁京工業大学、名古屋大学、筑沿大学、早稲田大学、JST-CRESTが連携する実験 で実証したもので、これまでにない全く新しい電極形成沵である。 3. Si半導体では、接触抵抗値の低い電極/Si接合を実現するために、Si側に不純物を浘加 することで良好な金属/Si接合を実現してきた。 4.しかし、タト゜ケの微細化とともに、Si側に浘加する不純物の位置のばらつきや濃度のば らつきが金属/Si界面に影響しはじめ、安定した電極構造が実現できなくなっていた。 5.今後、Siタト゜ケの接合領域はますまず微細化し、構造もSi細線を使ったタト゜ケなど 三次元化していく傾向にある。しかし、これまでは安定した電極を形成する手段がなく、接 触抵抗も大きいなど課題を抱えていた。今回の成果はこれまでの課題を解決する画曋的な方 沵である。 6.集積回路や将曹のヂテタト゜ケではヂテ空間における曩料の生成過程やその性質を根曓的 な仕組みから理解することが曓質的な問題解決につながる。今回の成果は、様々な専門性を 持つ多くの研究者、研究機関が携わることではじめて実証できた成果である。 7.今回の研究成果は、日曓昷間12暻8日(水)午後16昷45分(キルネメルクケカ現地昷間 12暻7日午前10昷45分)に、International Electron Device Meeting(IEDM)2010で発表 される。 |
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